મુખ્ય તકનીકી પરિમાણો
| વસ્તુઓ | લાક્ષણિકતાઓ | |
| તાપમાન શ્રેણી(℃) | -40(-25)℃~+85℃ | |
| વોલ્ટેજ રેન્જ(V) | 200 〜500V.DC | |
| ક્ષમતા શ્રેણી(uF) | 1000 〜22000uF ( 20℃ 120Hz ) | |
| ક્ષમતા સહનશીલતા | ±20% | |
| લિકેજ વર્તમાન(mA) | <0.94mA અથવા 0.01 cv , 20℃ પર 5 મિનિટ પરીક્ષણ | |
| મહત્તમ DF(20℃) | 0.18(20℃, 120HZ) | |
| તાપમાન લાક્ષણિકતાઓ(120Hz) | 200-450 C(-25℃)/C(+20℃)≥0.7 ； 500 C(-40℃)/C(+20℃)≥0.6 | |
| ઇન્સ્યુલેટીંગ પ્રતિકાર | ઇન્સ્યુલેટીંગ સ્લીવ = 100mΩ સાથે તમામ ટર્મિનલ અને સ્નેપ રીંગ વચ્ચે DC 500V ઇન્સ્યુલેશન રેઝિસ્ટન્સ ટેસ્ટર લાગુ કરીને માપવામાં આવેલ મૂલ્ય. | |
| ઇન્સ્યુલેટીંગ વોલ્ટેજ | બધા ટર્મિનલ વચ્ચે AC 2000V લાગુ કરો અને 1 મિનિટ માટે ઇન્સ્યુલેટિંગ સ્લીવ સાથે સ્નેપ રિંગ કરો અને કોઈ અસાધારણતા દેખાશે નહીં. | |
| સહનશક્તિ | 85 ℃ પર્યાવરણ હેઠળ રેટેડ વોલ્ટેજ કરતા વધુ ન હોય તેવા વોલ્ટેજ સાથે કેપેસિટર પર રેટેડ રિપલ કરંટ લાગુ કરો અને 6000 કલાક માટે રેટેડ વોલ્ટેજ લાગુ કરો, પછી 20℃ વાતાવરણમાં પુનઃપ્રાપ્ત થાઓ અને પરીક્ષણ પરિણામો નીચે મુજબની જરૂરિયાતોને સંતોષવા જોઈએ. | |
| ક્ષમતા પરિવર્તન દર (△C ) | ≤પ્રારંભિક મૂલ્ય 土20% | |
| DF (tgδ) | ≤ પ્રારંભિક સ્પષ્ટીકરણ મૂલ્યના 200% | |
| લિકેજ કરંટ (LC) | ≤પ્રારંભિક સ્પષ્ટીકરણ મૂલ્ય | |
| શેલ્ફલાઇફ | કેપેસિટરને 85 ℃ વાતાવરણમાં fbr 1000 કલાક રાખવામાં આવે છે, ત્યારબાદ 20℃ વાતાવરણમાં પરીક્ષણ કરવામાં આવે છે અને પરીક્ષણ પરિણામ નીચેની જરૂરિયાતોને સંતોષે છે. | |
| ક્ષમતા પરિવર્તન દર (△C ) | ≤પ્રારંભિક મૂલ્ય ±20% | |
| DF (tgδ) | ≤ પ્રારંભિક સ્પષ્ટીકરણ મૂલ્યના 200% | |
| લિકેજ કરંટ (LC) | ≤પ્રારંભિક સ્પષ્ટીકરણ મૂલ્ય | |
| (પરીક્ષણ પહેલાં વોલ્ટેજ પ્રીટ્રીટમેન્ટ કરવું જોઈએ: 1 કલાક માટે લગભગ 1000Ω ના રેઝિસ્ટર દ્વારા કેપેસિટરના બંને છેડા પર રેટેડ વોલ્ટેજ લાગુ કરો, પછી પ્રીટ્રીટમેન્ટ પછી 1Ω/V રેઝિસ્ટર દ્વારા વીજળી ડિસ્ચાર્જ કરો. કુલ ડિસ્ચાર્જિંગ પછી 24 કલાક પછી સામાન્ય તાપમાનમાં મૂકો, પછી શરૂ થાય છે. પરીક્ષણ.) | ||
ઉત્પાદન પરિમાણીય રેખાંકન
| D (mm) | 51.00 | 64.00 | 77.00 | 90.00 | 101.00 |
| P (mm) | 22.00 | 28.30 | 32.00 | 32.00 | 41.00 |
| સ્ક્રૂ | M5 | M5 | M5 | M6 | M8 |
| ટર્મિનલ વ્યાસ (મીમી) | 13.00 | 13.00 | 13.00 | 17.00 | 17.00 |
| ટોર્સિયન (Nm) | 2.20 | 2.20 | 2.20 | 3.50 | 7.50 |
Y-આકારની સ્નેપ રિંગ
પૂંછડી કૉલમ એસેમ્બલી અને પરિમાણો
| વ્યાસ (મીમી) | એ (એમએમ) | B (mm) | a (mm) | b (mm) | h (mm) |
| 51.00 | 31.80 | 36.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 64.00 | 38.10 | 42.50 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 77.00 | 44.50 | 49.20 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 90.00 | 50.80 છે | 55.60 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
| 101.00 | 56.50 | 63.40 | 7.00 | 4.50 | 14.00 |
રિપલ વર્તમાન કરેક્શન પેરામીટર
આવર્તન વળતર ગુણાંક
| આવર્તન | 50Hz | 120Hz | 300Hz | 1kHz | ≥10kHz |
| સુધારણા પરિબળ | 0.7 | 1 | 1.1 | 1.3 | 1.4 |
તાપમાન વળતર ગુણાંક
| તાપમાન(℃) | 40℃ | 60℃ | 85℃ |
| ગુણાંક | 1.89 | 1.67 | 1 |
બોલ્ટ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સસામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા કેપેસિટર્સ પણ છે.હોર્ન-પ્રકારના એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરની તુલનામાં, તેમની માળખાકીય ડિઝાઇન વધુ જટિલ છે, પરંતુ તેમની ક્ષમતાનું મૂલ્ય મોટું છે અને તેમની શક્તિ વધારે છે.નીચે આપેલા સ્ટડ પ્રકારના એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરના વિશિષ્ટ એપ્લિકેશનો છે:
1. યાંત્રિક સાધનો: યાંત્રિક સાધનોમાં, વિદ્યુત ઉર્જાનો સંગ્રહ કરવા અને વર્તમાન ફિલ્ટર કરવા માટે કેપેસિટરની જરૂર પડે છે.નું ઉચ્ચ કેપેસિટેન્સ મૂલ્ય અને શક્તિસંવર્ધન પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સતેમને વિવિધ યાંત્રિક સાધનો માટે યોગ્ય બનાવે છે, અને તેનો ઉપયોગ ઊર્જા સંગ્રહ કરવા, મોટર્સ ચાલુ કરવા, વર્તમાન ફિલ્ટર કરવા અને ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક હસ્તક્ષેપ વગેરેને દૂર કરવા માટે થઈ શકે છે.
2. ઓટોમોટિવ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ: ઓટોમોટિવ ઈલેક્ટ્રોનિક્સમાં, ઊર્જા સંગ્રહ અને ફિલ્ટરિંગ માટે કેપેસિટર્સ જરૂરી છે.ની ઉચ્ચ શક્તિ, ઉચ્ચ વોલ્ટેજ અને ઉચ્ચ તાપમાન પ્રદર્શનસ્ટડ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સતેમને ઓટોમોટિવ ઈલેક્ટ્રોનિક્સ માટે યોગ્ય બનાવો, જ્યાં તેનો ઉપયોગ ઊર્જા સંગ્રહ કરવા, ફિલ્ટર કરવા, એન્જિન શરૂ કરવા, મોટર્સ અને લાઈટોને નિયંત્રિત કરવા વગેરે માટે થઈ શકે છે.
3. ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર: ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર્સમાં, ડીસી પાવર સપ્લાય અને વોલ્ટેજ અને વર્તમાનને નિયંત્રિત કરવા માટે કેપેસિટરની જરૂર પડે છે.સ્ટડ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સઓછી-આવર્તન, ઉચ્ચ-શક્તિ અને લાંબા-આયુષ્યવાળા ઇન્વર્ટર ડિઝાઇન માટે યોગ્ય છે, અને તેનો ઉપયોગ વોલ્ટેજને સરળ બનાવવા, વર્તમાનને નિયંત્રિત કરવા અને પાવર ફેક્ટર વગેરેને સુધારવા માટે થઈ શકે છે.
4. કોમ્યુનિકેશન ઇક્વિપમેન્ટઃ કોમ્યુનિકેશન ઇક્વિપમેન્ટમાં, સિગ્નલોને મોડ્યુલેટ કરવા, ઓસિલેશન જનરેટ કરવા અને સિગ્નલોની પ્રક્રિયા કરવા માટે કેપેસિટરની જરૂર પડે છે.નું ઉચ્ચ કેપેસિટેન્સ મૂલ્ય અને સ્થિરતાસ્ટડ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સતેમને સંચાર સાધનો માટે યોગ્ય બનાવો, જ્યાં તેનો ઉપયોગ સિગ્નલોને મોડ્યુલેટ કરવા, ઓસિલેશન જનરેટ કરવા અને સિગ્નલોની પ્રક્રિયા કરવા વગેરે માટે થઈ શકે છે.
5. પાવર મેનેજમેન્ટ: પાવર મેનેજમેન્ટમાં, કેપેસિટર્સનો ઉપયોગ ઊર્જાને ફિલ્ટર કરવા, સંગ્રહ કરવા અને વોલ્ટેજને નિયંત્રિત કરવા માટે થાય છે.સ્ટડ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સફિલ્ટરિંગ, ઉર્જાનો સંગ્રહ અને વોલ્ટેજને નિયંત્રિત કરવા માટે ઉપયોગ કરી શકાય છે અને ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ અને ઉચ્ચ-પાવર પાવર સપ્લાયની ડિઝાઇનમાં મહત્વપૂર્ણ ભૂમિકા ભજવે છે.
6. હાઈ-એન્ડ ઈલેક્ટ્રોનિક ઈક્વિપમેન્ટ: હાઈ-એન્ડ ઈલેક્ટ્રોનિક ઈક્વિપમેન્ટમાં, ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા કેપેસિટર્સ તેમની કામગીરીની ખાતરી કરવા માટે જરૂરી છે.સ્ટડ-પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા કેપેસિટર છે જેનો ઉપયોગ હાઇ-એન્ડ ઑડિઓ, વિડિયો, મેડિકલ અને એવિઓનિક્સ સાધનોની ડિઝાઇનમાં થાય છે.
સારાંશ માટે,સંવર્ધન પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર્સવિવિધ ઈલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણો અને સર્કિટ માટે યોગ્ય છે, અને તેમની ઉચ્ચ ક્ષમતા, ઉચ્ચ શક્તિ, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રદર્શન અને સ્થિરતા તેમને ઈલેક્ટ્રોનિક્સ ઉદ્યોગમાં અનિવાર્ય ભાગ બનાવે છે.
-
SMD પ્રકાર લિક્વિડ મિનિએચર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક...
-
લીડ પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર L4M
-
લીડ પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર LKX
-
સ્નેપ-ઇન પ્રકાર લિક્વિડ એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેક...
-
ચિપ પ્રકાર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટર V3MC
-
રેડિયલ લીડ પ્રકાર લઘુચિત્ર એલ્યુમિનિયમ ઇલેક્ટ્રોલિટી...